磁気抵抗メモリ解析事例

　磁気抵抗メモリ解析事例　TEM断面分析

磁気抵抗メモリ（MRAM）などの金属薄膜デバイス各層の材料・膜厚などの層構造の調査について、豊富な経験・ノウハウを有しています。

MRAMのTEM分析

MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory:磁気抵抗メモリ）は不揮発性で動作が高速であることから、次世代メモリとして研究開発が進められており、製品も出荷されています。
MRAMにおいて情報を記録する部分は、数nm厚の薄い磁性薄膜の積層構造をしています。この積層構造の解析には、TEM（Transmission Electron Microscope：透過型電子顕微鏡）-EDX (Energy Dispersive X-ray spectroscopy) 分析を用います。
当社では、高分解能TEM観察とEDX分析を組み合わせて金属薄膜デバイスの各層の材料や層厚等の層構造を調査することについて、豊富な経験・ノウハウを有しています。