踏み込んだ解析を行う前に各種特性の測定、非破壊での内部監察を行います。
試料調整を行い不具合が発生していると想定される個所の状態を確認しながら不具合個所を特定します。
非破壊調査 試料調整・破壊調査 物理的特性・試験 電気的特性 光学特性
非破壊調査
| X線透過装置 |
内部配線の断線、内部クラック有無の調査
最大試料サイズ： W470 x D420 x H100mm
最大試料重量： 5kg |
大型X線透視装置
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大型の試料を非破壊で部品レベルまでX線透視可能
最大試料サイズ： W1,100 x D600 x H500mm
最大試料重量： 10kg |
3D-X線解析装置
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傾斜型CTによる断面観察
最大試料サイズ： W460 x D410 x H120mm
最大試料重量： 5kg |
| 3D形状測定機 |
非接触で段差、幅、角度等を高速で測定
最大測定範囲： 200 x 100mm |
3Dスキャナー型寸法測定機
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非接触で大型構造物の段差、幅、角度等を高速で測定、回転ステージで360°全周スキャン可能
最大測定範囲： 縦 500mm x 横 500mm x 高さ 200mm
最大重量：50kg |
超音波探傷装置
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内部剥離有無の調査（反射／透過像観察可）
保有プローブ： 10 ～ 300MHz
観察可能範囲： 307 x 307mm
最小ゲート幅： 1ns |
| 蛍光X線分析装置 |
含有元素分析
最大試料サイズ： W500 x D350 x H85mm
最大試料重量： 2kg
分析可能範囲： 200 x 200mm |
ロックイン赤外線発熱解析装置
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電子部品やプリント基板の電流リークによる発熱箇所を非破壊で特定
最大試料サイズ： W450 x D450 x H56mm
最大試料重量： 10kg |
赤外線温度測定器
（赤外線サーモグラフィ） |
部品の温度測定、温度分布の可視化による調査
測定温度範囲： -40℃～+1,500℃
温度分解能： 0.04℃（30℃にて） |
高速度カメラ
（ハイスピードカメラ） |
高速撮影とスローモーション再生による高速現象の調査
最高録画速度： 1,000fps（1,024 x 1,024）
感度： 6,000 ISO（モノクロ）、2,000 ISO（カラー） |
試料調整・破壊調査
| レーザーオープナー |
レーザーによる封止樹脂の除去
搭載可能試料サイズ： W397 x D170 x H20mm
加工可能領域： 最大 50 x 50mm |
| ドライエッチング装置 |
半導体の保護膜除去
反応ガス： CF4、O2 |
| 研磨機 |
観察試料作製（ICパッケージ断面／コネクタ／基板ほか） |
集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SIM)
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断面の加工・SEM／SIM観察、結晶粒の観察
SEM／AES の分析観察断面の作製
TEM の試料作製、配線加工など |
物理的特性・試験
| 電子分析天秤 |
微小重量の測定（IC吸湿量など）
ひょう量： 120g、最少分解能： 0.1mg、最大試料： φ80mm |
| 実体顕微鏡 |
外観観察
観察倍率： 10～80倍 |
| 金属顕微鏡 |
外観観察
観察倍率： 50～1,000倍 |
| デジタルマイクロスコープ・偏光顕微鏡他 |
外観観察、寸法測定、深度合成撮影、表面観察
観察倍率： 150～3,000倍 |
| レーザー顕微鏡 |
外観観察、超深度形状測定
高さ方向最小分解能 0.01μm |
アドバンストセーフティテスター
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二次電池の安全性評価
内部短絡（釘刺し試験）、外部短絡、温度(-40～+100℃)、外圧（圧壊試験） |
| 圧縮引張試験機 |
挿抜力・押下力、引張・外圧耐力の測定
測定可能力： 0.1～500N |
| ボンディングテスター |
ボンディングワイヤーのプルテスト、シェアテスト
可動範囲(X,Y,Z)： 70 x 70 x 190mm
プルテスト： 50～800g
シェアテスト： 800g／8kg |
電気的特性
信号印加
| 半導体パルスジェネレータ |
電気部品測定時のパルス印加
周波数範囲：
1Hz～50MHz（最大振幅 32Vpp）、
100uH～15MHz（最大振幅 10Vpp） |
| ファンクションジェネレータ |
電気部品測定時の入力波形印加（任意波形の作成）
最高クロック： 1GHz
最大振幅： 2Vpp |
測定・解析・評価
| オシロスコープ・データロガー |
Keysight MSO-X 3104A 1GHz 5Gsa/s
アクティブプローブ：1GHz 1MOhm 1pF
電流プローブ：DC-20MHz 150Arms, 30A/50MHz
※上記に限らず複数所有 |
| インピーダンスアナライザ |
受動素子の測定
周波数： 40Hz～110MHz
試料サイズ： SMD2電極タイプ 0603～、IMD、他 |
| ノイズシミュレータ |
高周波ノイズ耐量評価（所有Equipment ：INS-4040）
出力電圧 ： 0.01～4KV±10％、出力極性：正／負
パルス幅 ： 10ns、50ns～1us（50nsステップ） |
| ROMライター |
ROMの各種特性の測定、機能検査 |
| ロジックアナライザ |
ロジック回路の動作解析
サンプリングレート： 最大250MHz／48ch、125MHz／96ch |
| ゲインフェーズアナライザ |
被測定回路の利得、位相特性の測定
周波数範囲：正弦波 0.1mHz～15MHz、分解能 0.1mHz
AC振幅： 0～10Vpeak、DCバイアス： -10V～+10V |
ネットワークアナライザ
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被測定回路の伝播特性の測定
印加可能周波数： 9KHz～6.5GHz
シングルエンド／ディファレンシャル測定可能、
タイムドメイン反射測定(TDR)機能あり |
| ケーブルテスタ |
ケーブルの電気試験
導体試験の判定値： 約1KΩ
瞬断試験の検出時間： 1μS
絶縁抵抗試験の判定範囲：10～990MΩ（試験電圧DC100～500V）
耐圧試験： AC50～600V |
| コネクタ瞬断評価システム |
接触部品等の瞬断評価
最小瞬断幅： 500ns～100ms
測定可能数： 10ch |
| 導体抵抗（AMR）システム |
コネクターの接触抵抗評価など連続監視による劣化性調査
測定可能数： 120ch
抵抗測定範囲： 10uΩ～100KΩ |
| 耐圧試験機 |
絶縁耐圧評価
印加電圧 ： 0V～10kV（電圧変動率15%以下）
最大定格出力 ：AC500VA(10kV／50mA)、DC50W(10kV／5mA) |
| 絶縁抵抗計 |
基板、ケーブルの測定
測定範囲： 1.0E+03～1.6E+16Ω
測定電圧： DC0.1V～1,000V |
| ミリオームメーター |
基板、ケーブルの測定
測定範囲： 10uΩ～100kΩ
測定電流： 1uA～10mA |
| 低抵抗率計 |
試料の抵抗率を4端子4探針法により測定
測定レンジ：0.01～1,000,000Ω |
| カーブトレーサ |
V-I特性の測定
ピークパワー： 3KW／400A／3000V |
| パラメーターアナライザ |
各特性の測定（小型ICテスタ） |
光学特性（色度／光線／光沢）
| 分光測色計 |
色の測定
測定径：
φ3mm／φ8mm／φ30mm（反射測定）、
φ20mm（透過測定, 厚み60mmまで）
DIN5033 Teil7、JIS Z 8722 条件c、ISO7724/1、CIE No.15、ASTM E 1164準拠 |
| 分光放射計 |
試料（LED等の発光体）が放射する光のスペクトル分布を測定
測定波長範囲：380～780nm
測定距離：350mm～（対物レンズ金物先端からの距離） |
| 表面反射アナライザー |
試料の光沢指標（光沢度、曇り度、写像性、BRDF）を同時測定
測定レンジ：0～2000GU（照射角度20°時） |
| ヘーズメータ |
試料を通過する全光線に対する拡散光の割合（ヘーズ値）を測定
最大試料サイズ： W260 x D145 x H25mm |
