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超音波探傷装置(C-SAM, SAT)

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  超音波探傷装置(C-SAM, SAT)

半導体部品やX線で透過してしまう部品では、高精度に内部を観察することが非常に難しく、異常個所の特定が困難です。超音波探傷装置(C-SAM, SAT)を使用して樹脂封止された部品内部のボイド・クラック、封止材の充填状態、異なる材料を接合した部分など接合界面の剥離状態、リフロー時の破裂(ポップコーン現象)等による内部剥離などを高精度に且つ非破壊で受託致します。

・メーカー: SONOSCAN
・型格: Gen6

※C-SAM: C-Mode Scanning Acoustic Microscope, SAT:Scanning Acoustic Tomograph
※ポップコーン現象:はんだリフロー時の温度上昇で樹脂内部に吸湿された水分が膨張することによって界面剥離・樹脂クラックを起こす現象

超音波探傷装置(C-SAM, SAT) 超音波探傷装置(C-SAM, SAT)庫内大きさイメージ

超音波探傷装置(C-SAM, SAT)と庫内大きさイメージ

 

故障した部品の異常箇所が特定できず、原因調査に行き詰まった経験はありませんか?


小型化・高集積化が進んでいる半導体部品やX線で透過してしまう部品では、高精度に内部を観察することが非常に難しく、異常個所の特定が困難です。
当社保有の最新鋭の超音波探傷装置を使用すれば、通常観察困難なサンプル内部の状態を高精度に且つ非破壊で観察することが可能です。

内部観察に留まらず、異常箇所の特定や故障原因の推定など最適な解析方法をご提案、お客さまの課題解決をサポートいたします。

 

超音波探傷装置 動作原理

 

超音波探傷装置(C-SAM, SAT)

対象を水の中に設置し上から超音波をプローブから照射し、反射波測定を行います。 このときに反射する超音波の大きさは、境目の材料の組み合わせによって異なります。 IC内部にボイド等があった場合、欠陥部と正常部で超音波の反射率(反射波)がことなるため、取得した画像から微小な剥離があることが確認できます。

 

装置概要(仕様)

 

※ご希望の条件で試験可能かどうか、試験条件をご連絡ください。

項目 仕様
試料最大寸法 W400 x D400 x H40mm
観察可能範囲 307 x 307mm
保有プローブ 10MHz, 15MHz, 20MHz, 30MHz, 100MHz, 230MHz, 300MHz
最小ゲート幅 1ns
特徴
  • 超音波を照射するプローブとサンプル間は3.8mm(300MHz)~19mm(10MHz)確保可能
  • 反射観察、透過観察のいずれにも対応可能
  • 擬似的な断面画像を構築することが可能
  • 高周波対応の最新機種による高精細な画像を取得

注意事項

観察の際、サンプルを純水に浸漬させます。水分で変形、溶解する又は破損するものは観察できません。また、装置の特性上、下記の様なものは観察できない場合がございます。

  • 球体のような湾曲した形状品の観察
  • 試料最大寸法を超える大型の部品

 活用事例

IC内部の観察


反射波の解析結果を左図のように画像化し、測定した超音波の中で、観察したい点の反射波を解析することによって剥離箇所の特定と、詳細な解析が可能です。

剥離箇所の特定

 

高周波による観察画像


230MHzのプローブに比べ、より高精細な画像の取得が可能です。
(凹穴加工したシリコン基板を観察。左から50um,40um,30um,20um,10um。深さはいずれも2um。)

高周波による観察画像

 

主に以下の観察が可能です

・樹脂封止された部品内部のボイド、クラック
・封止材の充填状態
・異なる材料を接合した部分など接合界面の剥離状態
・ポップコーン現象等による内部剥離

その他、活用事例をパンフレットによりご紹介しています。

パンフレット