VPD-ICP-MS：
気相分解法を用いたICP-MS分析
分析概略
VPD-ICP-MS（気相分解法を用いたICP-MS（誘導結合プラズマ質量）分析）はSiウエハ全体の汚染総量を分析するためによく使われる分析手法です。VPD（気相分解法）とICP-MS（誘導体結合プラズマ質量分析）を組み合わせることにより検出下限が向上します。Siウエハ全体（パターンなし）から汚染総量を分析することもできますし、Siウエハの中心部と外周部の汚染量を比較分析することも可能です。
＊本分析はBarazas社で実施
対象分野
半導体
用途事例
- Siウエハの汚染分析（～300mm対応）
原理/特徴
特徴
- 定性・定量・高感度
- ～300mmウエハ対応
- ウエハ全体の評価
- ウエハ中心部と外周部の比較評価
制約
- 破壊分析
- フッ酸で溶解しない元素は測定不可
検出原理
VPD-ICP-MS：検出可能な元素
VPD-ICP-MS：検出限界（300mmウエハ）
分析事例
- VPD-ICP-MS：300mm Siウエハ評価
アルカリ金属・重金属などを一度に評価
