Raman：
ラマン分光法
分析概略
Raman（ラマン分光法）は、化学構造の決定と振動分光法を使用した化合物の同定を可能にします。RamanはFTIRよりも優れた空間分解能を持ち、1µmの範囲までのより小さな寸法の分析を可能にします。RamanとFTIRは不明な有機材料の特定に適した分析手法です。
＊各分析手法の分析深さはSMART Chartからご覧いただけます。
半導体・エレクトロニクス・自動車・航空宇宙・鉄鋼・先端材料・エネルギー・メディカルデバイス
対象試料の事例
- 有機材料（粉体・バルク・表面・パウダー・粒子・膜）
- 不純物（抽出物・脱ガスした製品/物質・残留物）
- 液体・溶液（含水材料・有機容積）
- 単結晶
原理/特徴
- 化学結合状態分析可能
- 空間分解能：>1um
- 深さ分解能：1～5um
- 応力測定（結晶方位にかかわらず測定可能）
- 単色化された可視光レーザー (e.g.、HeNe or Ar+)
- ラマン発光（分子振動が励起されて生じる発光）を測定
- ラマンスペクトルはラマン活性の振動に依存
Raman：振動スペクトル法
微小粒子の分析
FTIRでは小さすぎて分析できない（1um）粒子をRamanで分析。SEMだと外観像のみでポリマーとは判別ができないが、Ramanを用いるとスペクトルよりポリマーと判明できます。
RamanとFTIRで不足情報を補完
分析事例
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Raman：炭素同素体の異なった結晶構造を区別し特定
- Raman：SiGe上に堆積されたSiエピ膜の分析
基板SiとGeの格子不整合によりひずみが発生
- Raman：半導体結晶構造解析（AN334）
Ramanは半導体の結晶構造を分析するのに有効である。構造・結合・乱れなど固体結晶格子の変化の解析に利用される。AN334のデータでは、結晶シリコン・ポリ結晶シリコン・非晶質シリコンに含まれる微結晶（μc-Si）のRamanスペクトルを表示。Ramanピークのシフトや非対称性、バンド幅は非晶質半導体の結合角の歪みや結晶の特徴を測定するのに効果的である。データでは多結晶シリコン中の結晶が25Åより大きくないことを示している。
分析に適した試料量/形状
- 粒子・欠陥サイズ：1um以上 (例外：多大なラマン散乱を生じる材料)
- 膜厚：0.8 µm以上
- 基板材料からの情報が、測定対象の妨害になる場合があるので注意が必要
- 純金属・Si・ガラス対応可能
- 炭素リッチ材料が基板・基材に含まれる場合、強い炭素強度が妨害になる
