PCOR-SIMS：
Point by point Corrected 二次イオン質量分析法
分析概略
PCOR-SIMS（Point by point Corrected SIMS）はSIMSをベースに、EAG Laboratoriesが長年の経験とノウハウから独自開発した分析手法です。試料のマトリクスの変化に対して感度係数とスパッタリングレートを深さ方向全てのポイントに対して補正し、精度の高い深さ方向プロファイルを得ることが可能な高度なEnhanced SIMS技術です。PCOR-SIMSは化合物半導体の微量元素・組成評価、Shallow B、As、P等の極浅イオン注入（ULE）分布評価などに有効です。
＊各分析手法の分析深さはSMART Chartからご覧いただけます。
対象分野
半導体・エレクトロニクス・自動車・航空宇宙・鉄鋼・先端材料・エネルギー
用途事例
- 化合物半導体中のドーパント濃度深さ方向分析
- 化合物半導体中のエピタキシャル層の膜厚分析
- Si基板中の極低エネルギーイオン注入分布評価
対象試料の事例
- 化合物半導体材料・デバイス III-V系 (AlN、GaAs、InP、GaN等)
- SiGe材料
- 極浅接合形成イオン注入深さ方向分析（ULE） B、P、Asイオン注入分布評価
原理/特徴
一次イオン
一次イオンでは酸素 (O2+) またはセシウム (Cs+)を使用します。通常2〜20umほどに絞った一次イオンビームを四角にラスター（スキャン)させて試料をスパッタリングします。ラスター面積は、通常数100 μm～数10μm角になります。
二次イオン
ラスター領域から発生した二次イオンの中心領域のみを検出するします。その領域サイズはφ30～150 um（検出感度や試料状態で調整）になります。二次イオン系（電場、磁場）で質量分離されたのち、検出器（ファラデーカップまたはエレクトロンマルチプライヤー）で検出します。
分析事例
- PCOR-SIMS :化合物半導体AlGaAsの評価（VCSEL LASER深さ方向組成、不純物濃度分析）
AlGaAs/GaAs多層エピタキシャル成長膜中のドーパント、不純物元素の正確な濃度定量、精度の高い深さ換算データの提供が可能。表面からGaAs基板まで高い深さ方向分解能を保つ分析が可能なため、多層薄膜界面における炭素、酸素のスパイクを確認することが可能。
- PCOR-SIMS：テへテロバイポーラトランジスタ（HBT）の分析
InGaP エミッタ HBT構造の不純物深さ方向分析（InGaAs、InGaP、GaAsの各層中で正確な濃度を分析）
- PCOR-SIMS：Si基板へのBの極浅注入分布評価
プレアモルファス化条件の違いによる100eV注入のB極浅深さ濃度分布。
（Ge、Xeによるプレアモルファス化した条件と接合深さの相違点が判明、PCOR-SIMSでは酸素のモ二ターも可能）
分析に適した試料量/形状
- 形状：推奨10×10mm（厚み0.5～3mm）、最小8×6mm（厚み0.5～3mm）で表面鏡面仕上げ
（上記以外の形状・サイズについても対応可能です、弊社までご相談ください）
ダウンロード
SIMSview｜SIMS Data Processing Software
弊社が開発したSIMSデータ処理ソフトウェアです。
SIMS分析結果のデータファイル（拡張子：*.svw）をSIMSviewで表示・データ処理が可能になります。
- XY軸のスケールとデプスプロファイルの色の変更
- テキストの追加
- 複数のプロファイルの重ね合わせ表示
- 重ね合わせた間隔の調整、デプスプロファイルの比較表示
- 線量、面密度、接合深度の計算
- 平均濃度の計算
- 層厚の計算
- 深さ分解能の決定
技術資料
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