AES：
オージェ電子分光法
分析概略
AES（Auger Electron spectroscopy : オージェ電子分光法）は検出深さが10nm程度と非常に浅いため、数10nm程度の極小異物を分析をすることが可能です。また、検出された元素のマッピング分析・スパッタイオンガンを併用した元素の深さ方向分析・FIB加工を併用した断面分析なども行えます。
EAG LaboratoriesではさまざまなAES分析装置を所有しています。特に200mm /300mmウエハー対応のAES分析装置はKLA社製欠陥検査装置の座標データから特定の極小異物を指定してAES分析をすることが可能です。
＊各分析手法の分析深さはSMART Chartからご覧いただけます。
対象分野
半導体・エレクトロニクス・自動車・航空宇宙・鉄鋼・先端材料・エネルギー・メディカルデバイス
用途事例
- 検出深さが浅い(10nm程度)ため試料表面の元素分析
- 微細ビームによる異物等の微小領域の元素分析
- サブモノレイヤー分析（EDSでは分析できない極薄膜の分析）
- 金属多層膜などの深さ方向分析（スパッタ銃イオンガンを併用）
- 200mm/300mmウエハーの座標対応極小異物分析
原理/特徴
AESは電子線を細く絞り試料表面に照射した際に、表面から発生するオージェ電子のエネルギーを測定することで元素の種類と量を同定する手法です。
深さ方向分析（スパッタイオンガン併用）
オージェ電子の検出深さは浅いためスパッタイオンガンを併用することにより深さ分析が可能
200/300mmウエハー対応装置
分析事例
- AES深さ方向分析：ボンドパッドの良品・不良品を比較（不良品の酸化膜厚が良品の3倍以上）
- AES KLA座標情報のリロケーション分析：300mmウエハーの微小パーティクル解析
AESの分析結果では、SEM-EDSでは検出されていないCr、Fe、Wを検出
- AES：FIB加工を併用した断面分析：シリコンウエハーマッピング
