Wafer Analysis｜ウエハ分析サービス
サービス概要
次世代デバイスの歩留まり向上を加速させる、ウエハ表面分析ソリューション
半導体デバイスの微細化・高積層化が進む中、わずかな汚染が製品の信頼性を左右します。弊社は、最大300mmウエハーに対応した最先端の分析プラットフォームにより、製造プロセスの最適化と品質管理を強力にサポートいたします。
【ユーロフィンEAGの強み：高精度・多角的な分析アプローチ】
- 極微量金属汚染の可視化
TXRF（全反射蛍光X線分析）による非破壊での迅速分析や、VPD-ICP-MSを用いた超高感度な定量分析に対応。 - 多面的な表面評価
金属成分のみならず、デバイス特性に悪影響を及ぼす有機物汚染の同定や、微細な表面形状評価までワンストップで受託いたします。 - 最大200mmのリロケーション対応 / KLA座標連動による効率的評価
KLAの外観検査装置で検出されたパーティクル座標データを取り込み、同一箇所をAES（オージェ電子分光）で精密分析。ターゲット欠陥を逃さず、迅速な原因究明を可能にします。
サービス一覧
最大300㎜対応サービス
金属汚染分析
有機汚染分析
元素分析
- XRF（蛍光X線分析）
