PED｜プリセッション電子線回折分析
分析概略
次世代の材料開発を加速させるナノスケール結晶解析：TEM-PED
半導体デバイスの微細化や新材料の多機能化が進む中、従来の解析手法では「見えない」領域の構造制御が製品の成否を分ける鍵となっています。
PED（プリセッション電子線回折）は、透過電子顕微鏡（TEM）の優れた空間分解能と、高度な結晶方位解析技術を融合させた、次世代のナノ構造解析ソリューションです。
なぜ今、TEM-PEDが必要なのか？
従来の解析手法（XRDやEBSD）には、ナノデバイス開発において限界が存在します。
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XRD（X線回折）： 平均的な結晶情報の取得には適していますが、局所的な分布やナノ粒子の個別の情報は得られません。
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EBSD（電子背後散乱回折）： 結晶方位マップの標準的な手法ですが、空間分解能は約$100\text{nm}$程度に留まり、微細化が進む最先端プロセスには不十分です。
PEDは、これらの限界を打ち破り、10nm以下（極小領域では数nm）**の空間分解能で、個々のナノ結晶方位や相分布を可視化します。
対象試料の事例
- 半導体のナノスケール領域
- 金属・合金
- セラミックス
- 磁性材料
用途事例
- 結晶粒の面方位分析・測定
- 結晶解析・結晶性評価
- 配向測定
- 双晶（粒界）評価
原理/特徴
- 結晶方位解析
- 結晶の形状（角度による粒界の定義）
- 結晶粒の相関角度・回転軸・測定
- 結晶粒径分布の測定
- 結晶方位マップ（グレインサイズ・集合組織・結晶相の識別と分布・ひずみ解析・結晶粒界解析）
- 結晶方位情報：極点図・逆極点図
比較：ESBDとXRDとPED
| EBSD | XRD | PED |
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分析事例
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SOC（7nm EUV露光）の金属ラインの粒径分布・結晶方位 |
同試料・金属ラインの極点図（Cu） |
