3D-APT：
三次元アトムプローブトモグラフィー分析

分析概略

3D-APT（3D-Atom probe tomography：三次元アトムプローブトモグラフィ）は高感度の三次元空間イメージングと組成分析を提供するナノスケールの分析手法です。3D-APTはTEM/STEMに近い空間分解能を持ちながら、組成分析はTEM/STEMよりも高感度になります。EAG LaboratoriesではCAMECA社LEAP5000XRを使用しているため、導電体だけではなく制限はありますが一部の絶縁体の分析も可能です（試料に制限があるため弊社にご相談ください）。

対象分野

半導体・エレクトロニクス・自動車・航空宇宙・鉄鋼・先端材料・エネルギー・メディカルデバイス

対象試料の事例

化合物半導体・パワー半導体・FinFET・PMOSキャップ層・3D-NANDの三次元構造分析
湾曲・不均一な結晶流界の三次元構造解析
リチウムイオン電池などの軽元素分析（Be、B、Li、C、Al）
合金（Al7075・形状記憶合金・チタン）などの組成と析出物分析
LED・FinFET・3D-NADA・リチウムイオン電池の表面コーティング用の低濃度ドーパント分析

原理/特徴

3D-APTは試料をFIB-SEMで頂点の半径を約100nmほどの円錐形のプローブ形状に加工します。加工されたプローブ形状の試料は25〜80Kの極低温に冷却された状態でイオンビームまたはパルスレーザーによって電界蒸発させ原子レベルの分析を行います。

空間分解能：最大0.3nm
CAMECA社 LEAP5000XR（UVレーザー機能付属）
高質量分解
同位体分析が可能

FIB-SEMでの3D-APT試料作製プロセス

分析事例

3D-APT：Micro LEDのエピタキシャル膜構造分析

3D-APT：GaNのMg偏析分布（Mgドープ）

3D-APT：Al合金（Al7075）のMg、Zn、Cu分布分析

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技術資料


Technique Note アトムプローブトモグラフィ（APT）

3D-APT：三次元アトムプローブトモグラフィー分析