Enhanced SIMS｜二次イオン質量分析法サービス

サービス概略

次世代半導体開発を加速するSIMS分析：究極の感度で元素分布を可視化

SIMS（Secondary Ion Mass Spectrometry）は、試料表面に一次イオンを照射し、放出される二次イオンを質量分析計（四重極型・磁場型）で検出する手法です。 H（水素）を含む全元素を対象に、ppm〜pptレベルという極微量な不純物やドーパントを高感度で測定。数Å（オングストローム）から数十μmまでの広範な深さ方向プロファイルを取得可能です。

EAG独自の革新技術「PCOR-SIMS」

EAGが独自開発したPCOR-SIMS（Point by point Corrected SIMS）は、従来のSIMSの課題であった「マトリックス効果（組成変化による感度変動）」を克服しました。深さ方向の全測定点において、感度係数とスパッタレートをリアルタイムで補正。これにより、界面付近や組成が変化する多層膜においても、圧倒的に精度の高い定量評価を実現します。

主な対象デバイスとアプリケーション

最先端の半導体プロセスおよび材料開発において、以下の領域で不可欠な解析手法となっています。

次世代パワーデバイス（SiC / GaN / AlN）: SiC基板やGaNエピタキシャル層中の微量不純物、ドーパント濃度分布の精密評価。
ロジック・メモリ半導体（Si / Ge）: 極浅接合（ULE: Ultra-Low Energy）形成のためのB（ボロン）、As（ヒ素）、P（リン）等のイオン注入分布評価。High-kゲート絶縁膜（HfO2, ZrO2等）や金属配線（Cu, W, Ti）の界面汚染分析。
光通信・高周波デバイス（InP / GaAs）: III-V系化合物半導体におけるヘテロ接合界面の急峻性評価および膜厚測定。
ディスプレイ・太陽電池（有機EL / CIGS / PV-Si）: * 有機EL材料（OLED）の多層構造解析や、太陽電池パネルの不純物プロファイル。

なぜEAGのSIMS分析が「業界標準」なのか

EAGは、40年以上にわたり表面分析のパイオニアとして技術を牽引してきました。

圧倒的なアセット: 世界最大規模の50台以上のSIMS装置を運用。
比類なきデータベース: 7000種類を超える標準試料（RSF）を保有し、あらゆる材料に対して迅速かつ正確な定量データを提供。
専門エキスパート: 数万件の解析実績を持つ技術者が、データ解釈から課題解決までをトータルにサポート。

微量元素評価の課題解決へ

「微量汚染の原因を特定したい」「極浅領域の注入分布を正確に把握したい」「化合物半導体の膜厚と組成を同時に評価したい」といったご要望に対し、EAGのSIMS・PCOR-SIMSは最適なソリューションを提供します。