【ユーロフィンEAG x ブルカー 共催】半導体異物解析と材料評価の最前線ウェビナー

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「半導体ウェハ表面の金属汚染分析 — 各種手法の特徴と分析事例の紹介」

デバイスの微細化に伴い、微量汚染が与える影響は拡大しており、プロセス開発における高度な汚染分析技術の重要性が一段と高まっています。本ウェビナーでは、特にウェハ表面における金属元素の汚染評価技術について、各種手法の特徴や分析事例を詳しく紹介いたします。

ユーロフィンイーエージー株式会社
テクニカルサポート　渡部 秀敏

「レーザーラマン顕微鏡による半導体ウェハの多面的材料解析」　

300 mm ウェハステージ搭載レーザーラマン顕微鏡RAMANdriveを用いた半導体ウェハ分析の最新事例をご紹介します。300 mm ウェハ上の異物解析、応力分布評価、結晶構造の可視化、薄膜評価など、多様なニーズに応える分析が可能です。Si、GaN、SiCを中心に、開発から故障解析まで幅広く活用できる応用例を、分かりやすく解説します。

ブルカージャパン株式会社　オプティクス事業部
シニアアプリケーションサイエンティスト　足立 真理子様

「10 nm の微小異物が分かる - 半導体向けナノ赤外分光装置Dimension IconIR 」

　Dimension IconIR は，10 nm を超える極めて高い空間分解能で IR 分析を行う新しい表面解析システムである。ウェハやデバイス上のナノサイズの異物分析・故障解析など様々なナノ化学構造分析に対応する。IconIRには300 mm ウェーハ対応機種やフォトマスク用の専用アタッチメント等も存在し，多様なAFM測定モードによる多角的な表面ナノ分析および，KLARFファイルを介した分析装置間の連携による高度なデバイス分析など様々な分析アプリケーションに対応可能である。

ブルカージャパン株式会社　ナノ表面計測事業部
アプリケーションエンジニア　横川 雅俊様