Enhanced SIMS｜二次イオン質量分析法

サービス概略

SIMS（二次イオン質量分析法）は、極低濃度のドーパントと不純物を検出します。SIMSでは数Å（オングストローム）から数10um（マイクロメートル）までの幅広い分析範囲での元素の深さプロファイルを取得します。試料表面を一次イオンでスパッタし、スパッタによって放出された二次イオンを四重極型（Quadruple）・磁場型（Sector）等の質量分析計で分離・検出します。SIMSではHを含めた全元素をppm〜pptの感度で深さ方向分析を行うことができます。

EAG LaboratoriesのSIMS分析技術は40年以上の歴史があり業界標準になっています。また、EAG Laboratoriesでは50台以上SIMS分析装置と7000種類以上の標準試料を所有しています。さらに弊社が独自開発したPCOR-SIMS（Point by point Corrected 二次イオン質量分析法）は試料のマトリクスの変化に対して感度係数とスパッタリングレートを深さ方向全てのポイントに対して補正し、精度の高い深さ方向プロファイルを得ることができます。そのため、化合物半導体の微量元素・組成評価、Shallow B、As、P等の極浅イオン注入（ULE）分布評価などに有効です。

SIMS・PCOR-SIMSは次のような分析に適しています。

Si半導体デバイス及び関連材料（SiO2・SiN等）
化合物半導体材料・デバイス III-V系 (AlN・GaAs・InP・GaN等)
SiC及びII-VI系材料 (HgCdTe・ZnSe等)
極表面汚染分析（Surface SIMS）
極浅接合形成イオン注入深さ方向分析（ULE）
太陽電池材料関連（PV-Si・CIG等）
FPD材料関連（有機EL等）
金属薄膜 (Cu膜・Ti膜・W膜・Al膜等)
絶縁膜、コーティング膜、各種薄膜
化合物半導体中のドーパント濃度深さ方向分析
化合物半導体中のエピタキシャル層の膜厚分析
Si基板中の極低エネルギーイオン注入分布評価

分析事例


SIMS：酸化膜中における可動イオンのイオン注入分布評価	SIMS：セミバルクモードを用いたSiC試料中の金属不純物分析	PCOR-SIMS :化合物半導体AlGaAsの評価（VCSEL LASER深さ方向組成、不純物濃度分析）